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MMDF3N04HDR2G

MMDF3N04HDR2G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是安森美半导体公司的MMDF3N04HDR2G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.4A；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • FET类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：3.4A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：80 毫欧 @ 3.4A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：28nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：900pF @ 32V
  • 功率-最大值：1.39W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC N
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