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FQS4900TF

FQS4900TF

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的FQS4900TF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：QFET®；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：60V，300V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列：QFET®
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：60V，300V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.3A，300mA
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：550 毫欧 @ 650mA，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.95V @ 20mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2.1nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOP
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