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FDD3510H

FDD3510H

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的FDD3510H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：PowerTrench®；FET类型：N 和 P 沟道，共漏；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：80V；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：Digi-Reel® 可替代的包装
  • 系列：PowerTrench®
  • FET类型：N 和 P 沟道，共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：80V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4.3A，2.8A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：80 毫欧 @ 4.3A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：800pF @ 40V
  • 功率-最大值：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD
  • 供应商器件封装：TO-252-4L
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