FDMQ86530L

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的FDMQ86530L的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：GreenBridge™ PowerTrench®；FET类型：4 个 N 通道（H 桥）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：GreenBridge™ PowerTrench®
FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：17.5 毫欧 @ 8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：33nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2295pF @ 30V
功率-最大值：1.9W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：12-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：12-MLP（5x4.5）

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