IRFH4251DTRPBF
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是国际整流器公司的IRFH4251DTRPBF的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:FASTIRFET™;FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):25V;
- 厂商:国际整流器公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
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- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:FASTIRFET™
- FET类型:2 个 N 通道(双),肖特基
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):25V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):64A,188A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):3.2 毫欧 @ 30A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.1V @ 35µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):15nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):1314pF @ 13V
- 功率-最大值:31W,63W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PQFN(5x6)