STL60N32N3LL
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是意法半导体公司的STL60N32N3LL的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:STripFET™;FET类型:2 N 沟道(双)非对称型;FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/FET - 阵列/
- 主要规格参数:
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- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:STripFET™
- FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):32A,60A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):9.2 毫欧 @ 6.8A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V @ 1µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):6.6nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):950pF @ 25V
- 功率-最大值:23W,50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat™(5x6)