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SI4532CDY-T1-GE3

SI4532CDY-T1-GE3

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是威世硅尼克斯的SI4532CDY-T1-GE3的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;系列:TrenchFET®;FET类型:N 和 P 沟道;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):30V;


  • 厂商:威世硅尼克斯
  • 类别: 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:TrenchFET®
  • FET类型:N 和 P 沟道
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A,4.3A
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):47 毫欧 @ 3.5A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):305pF @ 15V
  • 功率-最大值:2.78W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
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