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综述介绍

FMP26-02P

FMP26-02P

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是IXYS的FMP26-02P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；系列：Polar™；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：200V；

厂商：IXYS
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：Polar™
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：200V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：26A，17A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：60 毫欧 @ 25A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：70nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2720pF @ 25V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装/外壳：i4-Pac™-5
供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC™

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