Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > ALD1102PAL

综述介绍

ALD1102PAL

ALD1102PAL

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美国先进线性电子器件公司的ALD1102PAL的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：2 P 沟道（双）配对；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：10.6V；不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：270 欧姆 @ 5V；

厂商：美国先进线性电子器件公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：2 P 沟道（双）配对
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：10.6V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：270 欧姆 @ 5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10pF @ 5V
功率-最大值：500mW
安装类型：通孔
封装/外壳：8-DIP（0.300，7.62mm）
供应商器件封装：8-PDIP

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号