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综述介绍

ALD1103SBL

ALD1103SBL

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美国先进线性电子器件公司的ALD1103SBL的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：10.6V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40mA，16mA；

厂商：美国先进线性电子器件公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：2 N 和 2 P 沟道（双）配对
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：10.6V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：40mA，16mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：75 欧姆 @ 5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 10µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10pF @ 5V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：14-SOIC

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