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EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是EPC公司的EPC2106ENGRT的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；系列：eGaN®；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；


  • 厂商：EPC公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：*可替代的包装
  • 系列：eGaN®
  • FET类型：2 个 N 通道（半桥）
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.7A
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：70 毫欧 @ 2A，5V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 600µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.73nC @ 5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：75pF @ 50V
  • 功率-最大值：-
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：*
  • 供应商器件封装：*
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