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综述介绍

CSD87501LT

CSD87501LT

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是德州仪器的CSD87501LT的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：NexFET™；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA；

厂商：德州仪器
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：NexFET™
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：-
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：40nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：10-XFBGA
供应商器件封装：10-Picostar（3.37x1.47）

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