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综述介绍

CSD87381P

CSD87381P

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是德州仪器的CSD87381P的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：NexFET™；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：德州仪器
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：NexFET™
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：15A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：16.3 毫欧 @ 8A，8V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：564pF @ 15V
功率-最大值：4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：5-LGA
供应商器件封装：5-PTAB（3x2.5）

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