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综述介绍

DI9942T

DI9942T

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DI9942T的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP

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