SIZ340DT-T1-GE3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SIZ340DT-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；系列：PowerPAIR®，TrenchFET®；FET类型：2 个 N 通道（半桥）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：PowerPAIR®，TrenchFET®
FET类型：2 个 N 通道（半桥）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：30A，40A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.5 毫欧 @ 15.6A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：19nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：760pF @ 15V
功率-最大值：16.7W，31W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerWDFN
供应商器件封装：8-Power33（3x3）

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