DMG5802LFX-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMG5802LFX-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：24V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.5A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：24V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6.5A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：15 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：31.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1066.4pF @ 15V
功率-最大值：980mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-DFN5020（5x2）

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