AON6998

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AON6998的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）非对称型；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19A，26A；

厂商：万国半导体元件有限公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：19A，26A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：5.2 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：820pF @ 15V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN-EP（5x6）

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