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综述介绍

PMDXB550UNEZ

PMDXB550UNEZ

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PMDXB550UNEZ的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：590mA；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：590mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：670 毫欧 @ 590mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.05nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：30.3pF @ 15V
功率-最大值：285mW
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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