MTM763250LBF

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是松下电器公司电子元件-半导体产品事业部的MTM763250LBF的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.7A、 1A；

厂商：松下电器公司电子元件-半导体产品事业部
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.7A、 1A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：120 毫欧 @ 1A，4V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：280pF @ 10V
功率-最大值：700mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：WS迷你型6-F1-B

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