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AOC2800

AOC2800

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是万国半导体元件有限公司的AOC2800的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平门；不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.1nC @ 4.5V；功率-最大值：1.3W；


  • 厂商：万国半导体元件有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/FET - 阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • FET类型：2 N 沟道（双）共漏
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：-
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：9.1nC @ 4.5V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
  • 功率-最大值：1.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-UFBGA，WLCSP
  • 供应商器件封装：4-WLCSP（1.57x1.57）
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