Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > SI4554DY-T1-GE3

综述介绍

SI4554DY-T1-GE3

SI4554DY-T1-GE3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的SI4554DY-T1-GE3的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：TrenchFET®；FET类型：N 和 P 沟道；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：TrenchFET®
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：24 毫欧 @ 6.8A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：690pF @ 20V
功率-最大值：3.1W，3.2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号