UPA2379T1P-E1-A

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的UPA2379T1P-E1-A的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动；不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 4V；功率-最大值：1.8W；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：-
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：-
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 4V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：-
功率-最大值：1.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-XFLGA
供应商器件封装：6-EFLIP-LGA（2.17x1.47）

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