Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > QS8K21TR

综述介绍

QS8K21TR

QS8K21TR

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的QS8K21TR的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：45V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：45V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：4A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：53 毫欧 @ 4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：5.4nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：460pF @ 10V
功率-最大值：550mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：TSMT8

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号