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STGD18N40LZT4

STGD18N40LZT4

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STGD18N40LZT4的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；系列：PowerMESH™；电压-集射极击穿（最大值）：420V；电流-集电极（Ic）（最大值）：25A；脉冲电流-集电极(Icm)：40A；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：PowerMESH™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：420V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：25A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：40A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.7V @ 4.5V，10A
  • 功率-最大值：125W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：逻辑
  • 栅极电荷：29nc
  • 25°C时Td（开/关）值：650ns/13.5µs
  • 测试条件：300V，10A，5V
  • 反向恢复时间（trr）：-
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：D-Pak
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