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HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是飞兆半导体公司的HGT1S10N120BNST的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：35A；脉冲电流-集电极(Icm)：80A；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • IGBT类型：NPT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：35A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：80A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，10A
  • 功率-最大值：298W
  • 开关能量：320µJ（开），800µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：100nC
  • 25°C时Td（开/关）值：23ns/165ns
  • 测试条件：960V，10A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：-
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：TO-263AB
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