STGB20NB37LZT4
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是意法半导体公司的STGB20NB37LZT4的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;系列:PowerMESH™;电压-集射极击穿(最大值):425V;电流-集电极(Ic)(最大值):40A;脉冲电流-集电极(Icm):80A;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:PowerMESH™
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):425V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
- 脉冲电流-集电极(Icm):80A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2V @ 4.5V,20A
- 功率-最大值:200W
- 开关能量:11.8mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:51nC
- 25°C时Td(开/关)值:2.3µs/2µs
- 测试条件:250V,20A,1 千欧,4.5V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:D2PAK