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综述介绍

IHW40N120R3FKSA1

IHW40N120R3FKSA1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的IHW40N120R3FKSA1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；系列：TrenchStop®；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：80A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：TrenchStop®
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：80A
脉冲电流-集电极(Icm)：120A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.75V @ 15V，40A
功率-最大值：429W
开关能量：2.02mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：335nC
25°C时Td（开/关）值：-/336ns
测试条件：600V、 40A、 7.5 欧姆、 15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3

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