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综述介绍

FGA50N100BNTD2

FGA50N100BNTD2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的FGA50N100BNTD2的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：NPT 和沟道；电压-集射极击穿（最大值）：1000V；电流-集电极（Ic）（最大值）：50A；脉冲电流-集电极(Icm)：200A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：NPT 和沟道
电压-集射极击穿（最大值）：1000V
电流-集电极（Ic）（最大值）：50A
脉冲电流-集电极(Icm)：200A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.9V @ 15V，60A
功率-最大值：156W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：257nC
25°C时Td（开/关）值：34ns/243ns
测试条件：600V，60A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：75ns
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3PN

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