STGD3HF60HDT4

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGD3HF60HDT4的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：7.5A；脉冲电流-集电极(Icm)：18A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.95V @ 15V，1.5A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：7.5A
脉冲电流-集电极(Icm)：18A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.95V @ 15V，1.5A
功率-最大值：38W
开关能量：19µJ（开），12µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：12nC
25°C时Td（开/关）值：11ns/60ns
测试条件：400V，1.5A，100 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：85ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak

PDF 下载