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综述介绍

IKD10N60RF

IKD10N60RF

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的IKD10N60RF的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；系列：TrenchStop®；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：20A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：TrenchStop®
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：20A
脉冲电流-集电极(Icm)：30A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.5V @ 15V，10A
功率-最大值：150W
开关能量：190µJ（开），160µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：64nC
25°C时Td（开/关）值：12ns/168ns
测试条件：400V，10A，26 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：72ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO252-3

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