Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > IGBT - 单路 > RGT8BM65DTL

综述介绍

RGT8BM65DTL

RGT8BM65DTL

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的RGT8BM65DTL的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：8A；脉冲电流-集电极(Icm)：12A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：8A
脉冲电流-集电极(Icm)：12A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，4A
功率-最大值：62W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：13.5nC
25°C时Td（开/关）值：17ns/69ns
测试条件：400V，4A，50欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：40ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号