NGTB03N60R2DT4G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NGTB03N60R2DT4G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：9A；脉冲电流-集电极(Icm)：12A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，3A；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：9A
脉冲电流-集电极(Icm)：12A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，3A
功率-最大值：49W
开关能量：50µJ（开），27µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：17nC
25°C时Td（开/关）值：27ns/59ns
测试条件：300V，3A，30 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：65ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：DPAK

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