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综述介绍

STGB20V60DF

STGB20V60DF

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGB20V60DF的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：40A；脉冲电流-集电极(Icm)：80A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：40A
脉冲电流-集电极(Icm)：80A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.2V @ 15V，20A
功率-最大值：167W
开关能量：200µJ（开），130µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：116nC
25°C时Td（开/关）值：38ns/149ns
测试条件：400V，20A，15V
反向恢复时间（trr）：40ns
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D2PAK

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