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综述介绍

FGA30T65SHD

FGA30T65SHD

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的FGA30T65SHD的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：60A；脉冲电流-集电极(Icm)：90A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
脉冲电流-集电极(Icm)：90A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，30A
功率-最大值：238W
开关能量：598µJ（开），167µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：54.7nC
25°C时Td（开/关）值：14.4ns/52.8ns
测试条件：400V，30A，6 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：31.8ns
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3PN

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