FGB20N60SFD
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是飞兆半导体公司的FGB20N60SFD的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;IGBT类型:场截止;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):40A;脉冲电流-集电极(Icm):60A;
- 厂商:飞兆半导体公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- IGBT类型:场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
- 脉冲电流-集电极(Icm):60A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.8V @ 15V,20A
- 功率-最大值:208W
- 开关能量:370µJ(开),160µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:65nC
- 25°C时Td(开/关)值:13ns/90ns
- 测试条件:400V,20A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):34ns
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:TO-263(D2Pak)