FGA15N120ANTDTU_F109

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的FGA15N120ANTDTU_F109的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件可替代的包装；IGBT类型：NPT 和沟道；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：45A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件可替代的包装
系列：-
IGBT类型：NPT 和沟道
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
脉冲电流-集电极(Icm)：45A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.4V @ 15V，15A
功率-最大值：186W
开关能量：3mJ（开），600µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：120nC
25°C时Td（开/关）值：15ns/160ns
测试条件：600V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：330ns
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3PN

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