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综述介绍

STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGWT80H65DFB的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：120A；脉冲电流-集电极(Icm)：240A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：120A
脉冲电流-集电极(Icm)：240A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，80A
功率-最大值：469W
开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：414nC
25°C时Td（开/关）值：84ns/280ns
测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：85ns
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P

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