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IXBT42N170

IXBT42N170

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的IXBT42N170的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：80A；脉冲电流-集电极(Icm)：300A；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1700V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：80A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：300A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.8V @ 15V，42A
  • 功率-最大值：360W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：188nC
  • 25°C时Td（开/关）值：-
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间（trr）：1.32µs
  • 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：TO-268
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