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综述介绍

HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的HGTD1N120BNS9A的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；IGBT类型：NPT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：5.3A；脉冲电流-集电极(Icm)：6A；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：5.3A
脉冲电流-集电极(Icm)：6A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.9V @ 15V，1A
功率-最大值：60W
开关能量：70µJ（开），90µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：14nC
25°C时Td（开/关）值：15ns/67ns
测试条件：960V，1A，82 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：TO-252AA

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