APT35GN120L2DQ2G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT35GN120L2DQ2G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：NPT，沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：94A；脉冲电流-集电极(Icm)：105A；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：NPT，沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）：94A
脉冲电流-集电极(Icm)：105A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，35A
功率-最大值：379W
开关能量：2.315mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：220nC
25°C时Td（开/关）值：24ns/300ns
测试条件：800V，35A，2.2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：*

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