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APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT35GP120B2DQ2G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：POWER MOS 7®；IGBT类型：PT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：96A；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：POWER MOS 7®
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：96A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：140A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.9V @ 15V，35A
  • 功率-最大值：543W
  • 开关能量：750µJ（开），680µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：150nC
  • 25°C时Td（开/关）值：16ns/95ns
  • 测试条件：600V，35A，4.3 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：-
  • 封装/外壳：TO-247-3 变式
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：*
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