中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > IGBT - 单路  >  APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT45GP120B2DQ2G的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：POWER MOS 7®；IGBT类型：PT；电压-集射极击穿（最大值）：1200V；电流-集电极（Ic）（最大值）：113A；


  • 厂商：美高森美电源产品集团有限公司
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：POWER MOS 7®
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：113A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：170A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：3.9V @ 15V，45A
  • 功率-最大值：625W
  • 开关能量：900µJ（开），905µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：185nC
  • 25°C时Td（开/关）值：18ns/100ns
  • 测试条件：600V，45A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：-
  • 封装/外壳：TO-247-3 变式
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：*
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099