APT200GN60B2G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT200GN60B2G的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:沟道和场截止;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):283A;脉冲电流-集电极(Icm):600A;
- 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- IGBT类型:沟道和场截止
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):283A
- 脉冲电流-集电极(Icm):600A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):1.85V @ 15V,200A
- 功率-最大值:682W
- 开关能量:13mJ(开), 11mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:1180nC
- 25°C时Td(开/关)值:50ns/560ns
- 测试条件:400V,200A,1 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:*