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MMIX1X200N60B3H1

MMIX1X200N60B3H1

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的MMIX1X200N60B3H1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：GenX3™，XPT™；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：175A；脉冲电流-集电极(Icm)：1000A；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：GenX3™，XPT™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：175A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：1000A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.7V @ 15V，100A
  • 功率-最大值：520W
  • 开关能量：2.85mJ（开），2.9mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：315nC
  • 25°C时Td（开/关）值：48ns/160ns
  • 测试条件：360V，100A，1 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：100ns
  • 封装/外壳：24-BESOP（0.906，23.00mm 宽）21 引线，裸露焊盘
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：24-SMPD
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