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IXBF50N360

IXBF50N360

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的IXBF50N360的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：BIMOSFET™；电压-集射极击穿（最大值）：3600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：70A；脉冲电流-集电极(Icm)：420A；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：3600V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：70A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：420A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.9V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：290W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：210nC
  • 25°C时Td（开/关）值：46ns/205ns
  • 测试条件：960V，50A，5 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：1.7µs
  • 封装/外壳：i4-Pac™-5（3 引线）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：ISOPLUS i4-PAC™
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