RJP60V0DPM-00#T1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的RJP60V0DPM-00#T1的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：45A；不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，22A；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：45A
脉冲电流-集电极(Icm)：-
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，22A
功率-最大值：40W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：75nC
25°C时Td（开/关）值：45ns/100ns
测试条件：300V，22A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3PFM

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