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RGT80TS65DGC11

RGT80TS65DGC11

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是罗姆半导体集团的RGT80TS65DGC11的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：70A；脉冲电流-集电极(Icm)：120A；


  • 厂商：罗姆半导体集团
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道和场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：70A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：120A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，40A
  • 功率-最大值：234W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：79nC
  • 25°C时Td（开/关）值：34ns/119ns
  • 测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：58ns
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247N
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