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IXYT30N65C3H1HV

IXYT30N65C3H1HV

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的IXYT30N65C3H1HV的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：GenX3™，XPT™；IGBT类型：PT；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：60A；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 分立半导体产品/IGBT - 单路/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：GenX3™，XPT™
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：118A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.7V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：270W
  • 开关能量：1mJ（开），270µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：44nC
  • 25°C时Td（开/关）值：21ns/75ns
  • 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：120ns
  • 封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：TO-268
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