IXBT20N360HV
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是IXYS的IXBT20N360HV的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:BIMOSFET™;电压-集射极击穿(最大值):3600V;电流-集电极(Ic)(最大值):70A;脉冲电流-集电极(Icm):220A;
- 厂商:IXYS
- 类别:
分立半导体产品/IGBT - 单路/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:BIMOSFET™
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):3600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):70A
- 脉冲电流-集电极(Icm):220A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):3.4V @ 15V,20A
- 功率-最大值:430W
- 开关能量:15.5mJ(开),4.3mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:110nC
- 25°C时Td(开/关)值:18ns/238ns
- 测试条件:1500V,20A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):1.7µs
- 封装/外壳:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:TO-268