RGT8NS65DGTL

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是罗姆半导体集团的RGT8NS65DGTL的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：8A；脉冲电流-集电极(Icm)：12A；

厂商：罗姆半导体集团
类别：分立半导体产品/IGBT - 单路/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：650V
电流-集电极（Ic）（最大值）：8A
脉冲电流-集电极(Icm)：12A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，4A
功率-最大值：65W
开关能量：-
输入类型：标准
栅极电荷：13.5nC
25°C时Td（开/关）值：17ns/69ns
测试条件：400V，4A，50欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：40ns
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：LPDS（TO-263S）

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